| |
一、致冷材料
哈尔滨晶体管厂是哈尔滨研制、开发、生产温差电致冷材料的唯一厂家，在国内也是较
早从事温差电致冷技术的厂家之一。此项技术来源于中国科学 院。1973年哈尔滨晶体管厂
成立温差电致冷技术研制小组。同年6月工厂派人到天津、北京及中国科学院有关部门学习，
回厂后开始试制温差电致冷材料。研制人员在一所简陋的平房里进行工作，自制了1台熔炼
炉，改制了1台区熔取向炉，改造了1套测试仪器，购置了部分石英容器和真空设备等，使研
制工作具备了初步条件。
1974年初，试制成功温差电致冷材料，直径为10毫米以下，经上海冶炼厂、天津继红电
器厂协助测试，达到设计水平，用于制造水冷式组件，性能较好。同年，工厂研制出1台一
次可区熔29个晶锭的取向设备，提高了生产能力。
1976年8月，工厂派出部分技术人员去沈阳晶体管厂学习，回厂后参加研制大口径温差
电致冷材料，并自己动手试制成功一对摇摆熔炼炉、1台沙浴退火炉，1台大直径立式退火炉
等。初步形成一条较完备的直径30毫米材料工艺生产线，使致冷组件的批量生产能力大幅度
提高。
二、致冷组件
1973年底，哈尔滨晶体管厂试制出首批温差电致冷N型和P型元件，经上海冶炼厂测试，
达到要求。在此基础上，工厂不断推出新的致冷器件。
（一）BD系列致冷组件
1975年，哈尔滨晶体管厂为国家兵器部制做了为9E导弹配套的致冷组件。工厂试制出玻
璃环氧模具，并采用硅氧化隔离绝缘工艺，此项技术处于国内领先水平，1979年8月设计生
产定型。
此后，厂攻关小组在总结第一批致冷组件研制经验的基础上，研制出GDW-120温度冲击
试验台所需全部致冷组件，称为BZ系列，共5种温差电致冷组件，7个系列47种型号，其性能
属国内先进水平。1979年通过技术鉴定，1982年改型号为BD系列，同年评为黑龙江省优质产
品。1990年生产400只。
（二）ZK系列多极致冷器
1976年，哈尔滨晶体管厂开始研制ZK系列多极致冷器。生产的致冷器一级温差达到45-
55摄氏度，二级温差70-80摄氏度，三级温差85-90摄氏度。其中ZK38072型工作电流为5安培，
功耗36瓦。ZK-46072型，工作电流10安培，功耗61瓦。两个型号温差均大于50摄氏度。1976
-1979年试制的致冷器，经第四机械工业部所属14所、16所、19所、25所和长春半导体器件
厂等单位试用，性能稳定，满足了用户的要求。特别是在中国第一颗通信卫星上使用，效果
良好。1979年8月25日通过技术鉴定，该产品达到日本同类产品水平,是国内唯一能运行5000
小时的致冷器。同年获黑龙江省科技成果三等奖。1990年生产300只。
（三）FBD型内冷式温差电致冷器
1982年，哈尔滨晶体管厂研制成功FBD型风冷式温差电致冷器。该产品可用来局部降温，
从而得到不同的温差，为各种温差电致冷设备提供冷源，具有体积小、重量轻、无振动、无
噪音、不用冷却水、可靠性高等特点。共有10个品种，其制冷量在不同接头处温差高低不同，
反映大小不等的制冷效率。FBD型风冷式温差电致冷组件1979年获黑龙江省科学大会奖。
1990年生产400只。
（四）WBD型微型温差电致冷组件
1983年，为满足远红外探测器和光纤通信致冷的需要，哈尔滨晶体管厂应用碲化铋和碲
化锑的P型材料和N型材料固熔体合金制成WBD0．76-8-1．2L、WBD0．76-18-1．2L微型温差
电致冷器。研制过程中得到国家科学委员会攻关局和有关研究所、大专院校的大力协助。19
83年9月向中国科学院半导体研究所、北京邮电学院、南京邮电学院提供了样品。天津824研
究所在工程中连续运行试验8个月，各项指标均达到设计要求，可广泛应用于长波激光器、
短波激光器、红外探测器、砷化镓场效应放大器和探测器中。
1984年11月通过技术鉴定，被评为省优质品。该产品经清华大学无线电系激光教研室使
用，认为与国外同类产品相比，具有冷却速度快、体积小（冷端4．4平方毫米，热端4．4×
6．8毫米）、电流小（1．1安培）、重量轻、无噪音、无振动等特点。温差35-40摄氏度，
温度连续可控，特别适用于半导体激光器和发光二极管致冷和控温。1990年生产300只。
（五）陶瓷平板型CHJ-12703-05温差电致冷组件
1986年1月，哈尔滨晶体管厂在国家航天工业部一院帮助下，根据国际市场需要开发出
致冷器件的第二代产品。在原来铜导流片型温差电致冷器件基础上，采用模具整体焊接，使
致冷器件焊接工艺获得重大突破。同年温差电致冷组件首次出口联邦德国。
1988年，陶瓷平板型CHI-12703-05温差电致冷组件通过哈尔滨市电子工业局技术鉴定。
1990年生产5600只。 |
|
