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一、锗小功率管
1964年，黑龙江晶体管厂开始批量生产为收音机配套的锗高频小功率三极管、锗低频小
功率三极管和锗小功率二极管。有3条生产线，所用设备、仪器，如扩散炉、烧结炉、测试
仪器、例行试验仪器等100台套均为自制。职工50余人，多数为技术人员。1965-1969年5年
间共生产锗高频小功率三极管112．8万只，锗低频小功率三极管137．5万只，锗小功率二极
管3万只。
1970年，哈尔滨晶体管厂从47所移植了计算机使用的3AK锗小功率开关管，用原锗高频
小功率三极管生产线生产，锗高频小功率三极管停产。同年，锗低频小功率三极管转给哈尔
滨工艺美术厂后停产。1976年哈尔滨晶体管厂将锗小功率二极管转给哈尔滨通江晶体管厂后
停产。1972-1976年哈尔滨晶体管厂累计生产锗小功率二极管7．9万只。
二、开关二极管
（一）2CK系列硅外延平面大电流开关二极管
1967年应第四机械工业部华北计算技术研究所、中国科学院计算技术研究所和北京有线
电厂的要求，哈尔滨晶体管厂开始研制2CK28开关管，工厂自筹研制经费。1969年研制成功
并投入试生产。1973年，2CK产品通过技术鉴定。1972-1974年间，孙克祥设计了2CK26、27、
29、38、40、46型产品。至此，哈尔滨晶体管厂2CK硅外延平面大功率开关二极管产品形成
系列化，正式投入生产。1982年，为提高2CK28的抗电流冲击能力，陆明惠和黑龙江省技术
物理研究所的田汝超合作，对设计和工艺做了较大的改进，应用外延平面技术，采用了扩铂、
电子辐照新工艺，解决了大电流开关二极管在制造中正向压降与开关速度的矛盾，2CK28的
主要参数指标优于1980年美国莫托洛拉公司的同类产品。1979年被评为黑龙江省优质品，19
80年评为第四机械工业部部优产品，1982年评为国家级优质品，获银质奖章，1985年获黑龙
江省科技成果三等奖。1972-1990年累计生产43．19万只。
（二）2CK系列平面开关管
1969年，哈尔滨市半导体研究所利用自己安装的测试设备和烧结炉，试制了2CK系列平
面开关管，并批量投入生产。产品的不合格品率控制在0．02％以下，低于部颁标准（1-5％
以内）。产品具有可靠性高、开关速度快的特点。1973年，哈尔滨市电子仪表工业局决定将
哈尔滨市半导体研究所的2CK系列平面开关管移交给哈尔滨市无线电六厂生产。哈尔滨无线
电六厂克服困难，当年建成了生产线，产量达到12万只，产值达300万元。至1985年，累计
生产449．33万只，产值超千万元。同年，因国外同类产品进入国内市场，产品定货少而停
产。
（三）SBD系列大电流肖特基开关二极管
1975年，哈尔滨晶体管厂根据中国科学院计算机技术研究所、第四机械工业部华北计算
技术研究所及解放军总参谋部第56研究所等用户要求，开展大电流肖特基开关二极管的研制
工作。在研制过程中，得到中国科学院计算机技术研究所、华北计算技术研究所的协助。19
80年8月5-50安培SBD系列产品通过技术鉴定，属国内首创，获第四机械工业部科技成果奖。
除反向漏电流稍大外，其余参数与国外同类产品性能接近。该产品可用于计算机、微波通信、
雷达装置的大电流、高速度开关电路中。
在研制成功5-50安培SBD肖特基大电流开关二极管的基础上，1983年又研制成功100安培
SBD肖特基大电流开关二极管，其技术指标达到美国TRW半导体公司、日本新电元电器制作有
限公司水平，通过鉴定并批准生产。哈尔滨晶体管厂在"六五"计划期间总投资766万元，改
造大功率器件生产线，"七五"计划期间又投资645万元对大功率器件生产线进行补充改造，
使生产线在国内处于领先地位。取得较好的社会效益与经济效益。至1990年，累计生产肖特
基开关二级管7．39万只。
三、硅平面三极管
（一）3DK系列硅外延平面大功率开关三极管
1968年，根据第四机械工业部第十研究院、南京电子技术研究所等用户的需要，哈尔滨
晶体管厂自筹经费，由曹国良、陆明惠、刘光宇等于1969年先后研制成功3DK12、3DK32、3DK
33硅外延平面大功率开关三极管，1973年通过技术鉴定，达到国外同类产品的水平，填补了
国内功率器件的空白。1980-1984年为国内发射运载火箭和实验通信卫星提供产品。1972-19
85年累计生产7．42万只，产值2000万元，利润800万元。3DK12、3DK32、3DK33等三极管虽
然开关速度快，但易导致二次击穿，因此不能适应各种新设计的电源设备对晶体管输出功率
不断提高的要求，哈尔滨晶体管厂又未能及时修改原设计，致使产品需要量减少，销售量逐
年下降，1986-1990年累计产量为1．93万只。
哈尔滨市半导体研究所也研制生产了3DG系列硅平面三极管、3DK系列硅平面开关三极管，
但产量很小，3DG系列硅平面三极管产量8000只，3DK系列硅高频小功率开关三极管产量3600
万只。1982年3DG系列硅平面三极管被评为黑龙江省优质产品奖。1987年，因3DG、3CG系列
塑封三极管研制成功，3DG、3DK系列硅平面三极管停产。
（二）3DG、3CG系列塑封三极管
1987年，哈尔滨特种元器件厂研制出3DG系列、3CG系列塑封三极管，1988年12月29日通
过生产定型鉴定，产品达到了日本NEC标准水平。其中3DG945、3CG产品1989年被评为黑龙江
省优质产品，1990年被评为哈尔滨市科技进步四等奖。当年生产842．64万只，产值758．4
万元。1987-1990年，累计生产2684万只，产值2684万元。
（三）3DB系列硅平面雪崩三极管
1973年，哈尔滨市半导体研究所成立研制小组，研制3DB系列硅平面雪崩三极管，该产
品系军工配套产品。经过几年研制试验，于1978年研制成功并开始了小批量生产。1979年通
过哈尔滨市电子仪表工业局主持的设计和生产定型。专家们确认，该产品性能达到美国同类
产品水平，它的研制成功填补了国家空白，打破了外国的技术封锁，可为国家节约大量的外
汇。产品提供给国内几十家军工、科研单位，受到用户一致好评。1980年5月21日太平洋海
域火箭发射成功，受到中共中央、国务院、中央军委嘉奖；1984年3月30日被授予"三三一"
工程奖；1984年7月7日"银河"亿次巨型计算机研制成功，受到电子工业部嘉奖。该产品多次
被用于国家级试验，如先后两次用于核爆炸试验的ST-2同步机中，使用于核试验的要害部位，
经试验，安全、准确、可靠。该产品1983年被评为全国"优秀新产品奖"，电子工业部科技成
果二等奖，省优质产品奖。1985年被评为电子工业部优质产品奖。同年，哈尔滨特种元器件
厂被列入电子工业部"六五"技术改造计划，并投资40万元，购置安装设备60台，对3DB型雪
崩三极管生产线进行技术改造，提高了生产能力。1981-1990年累计生产1．55万只。
四、整流管
（一）2CF系列硅快速恢复整流二极管
2CF系列硅快速恢复整流二极管是由中国科学院计算机所和哈尔滨无线电五厂根据贮存
取样示波器和微机开关电源需要而提出的。1982年经电子工业部中国电子器件工业总公司下
达给哈尔滨特种元器件厂做为重点军事工程配套项目，1983年研制成功，1984年12月通过市
级生产定型鉴定，填补了国内空白。该产品兼有开关二极管的高速和整流二极管的大电流特
性，主要做大电流开关、稳压电源主网络整流及开关电源续流等而被广泛用于各种电子设备
中，长沙国防科技大学将2CF系列硅快速恢复二极管应用于"银河"亿次巨型计算机上获得成
功。1984年7月7日学校致信感谢工厂。1985年被评为哈尔滨市科学技术进步二等奖。1983-
1985年累计生产1．31万只，实现利税8．5万元。1990年生产1．84万只。
（二）2CH系列高反压硅快速恢复二极管
2CH系列高反压硅快速恢复二极管是1982年由南京1014所提出的，经电子工业部协调，
将任务下达给哈尔滨特种元器件厂，1984年研制成功，1985年1月26日通过电子工业部中国
电子器件工业总公司主持的生产定型鉴定，产品达到国内先进水平，由于用量小，1986年停
止生产。
（三）2CZ97-1600系列整流二极管
1986年11月30日，国防科工委、电子工业部在成都军工产品协调会上向哈尔滨特种元器
件厂、武汉华中工学院下达联合研制2CZ97-1600系列二极管的任务，1989年初研制成功，12
月28日通过市级鉴定，确认产品参数达到国外同类参数指标，填补了国内空白，广泛应用于
国防工程、电力、交通、采矿、林业等领域的各种电子设备中。1990年生产3．75万只，产
值7万元。
1990年，哈尔滨市整流管生产厂家有哈尔滨特种元器件厂、哈尔滨通江晶体管厂、呼兰
晶体管厂3家，年产量为59．72万只。 |
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