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1969年，哈尔滨晶体管厂购置外延设备，试制成功硅外延片。其规格有3种，技术性能
达到当时国内先进水平。1970年生产定型,至1980年累计生产20万片。1981年发生火灾后停
产。同年，国营曙光无线电厂与哈尔滨工业大学合作研制N／N＋型双吸杂硅外延片,1982年
9月生产定型。该产品实现了外延表面全亮片，具有吸除有害杂质的双重吸杂机制，用其制
管具有大电流特性好、抗击穿耐量高、反向漏电小、管芯合格率高等特点,其工艺属国内首
创，技术居全国同行业之首。1982—1985年，累计生产227万片。产品销往国内15个省市的
25个厂家。该产品，1982年获黑龙江省优秀科技成果二等奖,1983年被评为黑龙江省优质产
品，1985年获国家科技进步三等奖及国家优秀新产品奖。
1985年，工厂自行研制乙硼烷气相掺杂P／P＋型硅外延片，于1987年9月21日通过技术
鉴定。此工艺是在国内首次将乙硼烷气相掺杂技术成功地应用于P／P＋硅外延片的大批量生
产上，产品具有外延表面呈亮片，电阻率均匀性好，且重复可控，用其制管后抗击穿特性好，
管芯合格率高。产品曾获哈尔滨1987年度优秀新产品二等奖，1988年度哈尔滨市科技进步三
等奖，产品销往国内10个省市的24个厂家，累计生产52万片，产值20万元。
1990年，生产N／N＋硅外延片56万标片，产值85万元；生产P／P＋硅外延片10000标片，
产值1．7万元；生产N＋抛光片6000大片，产值12万元。 |
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