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为促进电子敏感技术的发展，由哈尔滨市科学技术协会与中国电子学会电子元件学会联合主办，哈尔滨市电子学会、哈尔滨市仪器仪表学会承办，于1986年7月30日至8月2日在市科学宫召开了“1986年哈尔滨中日电子敏感技术科学讨论会”。以日本电器学会电子元件专业委员会委员长、东京工业大学高桥清教授为首的9位专家学者参加了科学讨论会。来自国内26个省、市、自治区的362位代表参加了科学讨论会，其中副教授(副研究员)以上45人，高级工程师25人，工程师(助理研究员)292人，有许多是我国电子敏感和传感技术界的知名人士。
科学讨论会大会交流的论文25篇(日方9篇，中方16篇)，其中哈尔滨4篇；在4个分会场交流中方论文67篇，其中哈尔滨19篇。在大会、分会场交流的论文中，哈尔滨占25％。科学讨论会向国内外论文作者颁发了论文证书。日本高桥清教授的论文《按性能要求创制敏感材料》，介绍利用分子束外延。MOCVD技术研制敏感材料的途径，五十岚伊势美博士、小沼义治教授等分别发表的《汽车传感器新技术》、《多晶半导体沉积在SOISS(不锈钢绝缘体)的压力传感器》等论文，均有独到之处，是日本近年的研究成果，在我国基本处于待开发或尚未开发的态势，得到我国与会学者的重视。
清华大学周志刚教授的《多功能敏感陶瓷材料》，以及武汉医学院任恕教授、北京航空学院黄俊钦教授等老专家学者和中青年科技工作者发表的论文，大多数是在国内首次发表，有的达到国内或国外先进水平。黑龙江大学黄得星教授"长基区三极管磁敏效应"的集成式磁敏电路，为开发二维磁矢量和象限角度检测，及直角座标与极座标的模拟变换，提供了新型磁敏器件。国外集成式磁矢量传感器也是处于研究阶段，而且尚未发现用长基区磁敏三极管制成的磁矢量传感器。
会前，日本学者携带样品、资料，分别深入到哈尔滨市的学校、科研所、工厂等8个单位与科技人员进行了广泛接触交流，有的建立了双边联系，有的就今后加强学术交流草拟了意向书。
(张植田) |
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