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一、三极管
1962年，哈尔滨新生开关厂研制成锗高、低频三极管。1973年，哈尔滨晶体管厂研制成
3DK12硅平面大电流开关三极管，填补了国内空白。1980年，哈尔滨半导体研究所（哈特种
元器件厂研究所）王晓联、滕奇等研制成3CG21—22DND及DG304NPN硅外延平面型高频小功率
三极管，达到国内先进水平。
1982年，哈尔滨特种元器件厂郑纯景等研制成3DB型雪崩三极管，填补了国内空白，用
于快速、大电流脉冲及整形电路，获1982年电子工业部科技成果二等奖。哈尔滨晶体管厂孙
克祥等研制成3CD01—015PNP硅外延基区低频大功率三极管，在国内首先采用外延基区新工
艺，达到国际同类产品水平，可取代锗管，应用于高极音响设备及多种电子设备做中低频放
大，获1982年哈尔滨市科技成果一等奖。1983年，李春山等研制成3DK012—033硅台面大功
率开关三极管。哈尔滨工业大学刘振茂等完成加压充氮一次快速检漏法研究。在哈尔滨晶体
管厂进行3CG试验，比氦质谱检漏法和放射性同位素检漏法，筛选效率提高5—10倍，获1985
年国家发明三等奖。1987年，刘振茂与哈尔滨晶体管厂协作，研制成“七专”外壳(零部件)
漏孔检测方法及LLJ—1型零部件漏孔检测台，用于电子元器件、零部件的密封性或零部件壳
壁的密封性检测，获1989年航空航天工业部科技进步二等奖。哈特种元器件厂翟波等研制成
塑封三极管，可取代金属壳管用于彩电、收录机和计算机作低频放大和检波、整流。
二、二极管
1970年，哈尔滨市半导体研究所研制成20V9、20V24B微波二极管和2CJC、2CJS、2CJL阶
跃二极管。1973年，哈尔滨晶体管厂研制成全国第一支2CK28硅外延平面大电流开关二极管，
达到国际同类产品水平，用于电子设备的电源系统作高频整流及续流等开关电路。1980年，
哈尔滨晶体管厂张京俊、丁原泰、邹云生等研制成SBD系列硅大电流肖特基开关二极管，填
补了国内空白，达到国际70年代同类产品水平，用于电子计算机电源部分作高频整流和大电
流开关。
1983年，哈尔滨晶体管厂张鹏俭等研制成3DK14硅外延平面开关二极管。用于电子设备
中作饱和及非饱和开关，代替了进口产品。陆明惠等研制成G2CK28硅大电流开关二极管，达
到国内先进水平，用于宇航工程配套的电源系统。1984年，哈尔滨晶体管厂、黑龙江省科学
院技术物理研究所王晓联等研制成2CKO30硅单晶台面高反压大电流二极管，具有反向电压高、
开关速度快、损耗小等特点，填补了国内空白。哈尔滨特种元器件厂郑纯景等研制成2CF系
列硅快恢复整流二极管。李英良等研制成2CH系列高反压硅快速恢复二极管，具有电压大、
降压小、温升低、恢复速度快等特点，居国内领先水平。1987年，孙世平等研制成PG系列高
亮度发光二极管，光亮参数达到国际先进水平，用于彩色电视机中做频道显示和电源显示以
及电子设备中的各种显示。翟波等研制成塑封二极管，用于彩电及其它电子设备中作高低频
放大、激励级放大以及检波整流。1989年，哈尔滨晶体管厂陶广斌等研制成BH—2型保护二
极管组件。董昌龙等研制成G2CK36硅平面外延大电流开关二极管，达到国内先进水平，获
1989年哈尔滨市科技进步一等奖。
三、硅 片
1977年，哈尔滨工业大学周士仁等与上海元件五厂合作，完成硅外延层中“雾状”微缺
陷的研究。实验证明，硅外延层中存在金属杂质及氧等是造成半导体器件的漏电流大、低击
穿多和成品率低的主要原因。1979年，研究成硅外延亮片生产工艺，清除了“雾状”微缺陷，
外延质量达到国内先进水平，获1983年国家发明三等奖。1981年，哈尔滨工业大学叶以正等
与曙光无线电厂周卫东等合作，研制成双吸杂N／N＋硅外延片，用于制作3DA87高反压中功
率管时，成品率达80％以上，获1982年黑龙江省科技成果二等奖、1985年国家科技进步三等
奖。王贵华等与691厂合作，研究成本征吸收技术，应用于N／N和P／F外延片，提高小功率
管成品率20％以上，获1986年航天工业部科技进步二等奖。1987年曙光无线电厂刘志恩等研
究成气象掺杂P／P＋硅外延片工艺，在国内首次将乙硼烷气相掺杂应用于P型硅外延层，提
高了成品率。1989年，又研究成硅片无蜡抛光工艺，代替了传统的涂蜡粘片式抛光，抛光合
格率在90％以上，达到国内先进水平。哈尔滨——克罗拉太阳能电力公司王兆芳等研制成MYA
—S1A／B系列非晶硅太阳能电池板，达到了国际80年代末水平。
四、电容器
1983年，哈尔滨无线电十一厂陆翔远等研制成无极性音频电容器，用于极性交换的直流
或脉动电路中。1984年，李桂兰等研制成CD119型、CD115型、CD71型铝电解电容器，用于无
线电、电器仪表。1988年，刘若生等研制成BrOJ型金属化聚丙烯介质低压并联电容器，达到
国内先进水平，用于并联连接工频交流电力系统中。1989年，哈尔滨电子敏感所董恩沛等研
制成CSC—1、CSC—2、CSC—3型法拉级超大量电容器，额定工作电压为1．6VDC，用做半导
体存储器备用电源，在驱动系统中直接控制电磁阀、继电器，在太阳能电池供电系统中做储
能元件，还用于燃气用具的电子点火器中，获全国首届火炬杯奖。 |
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