第四篇 电子元器件及电子材料 第三章 电子材料 第一节 半导体单晶 　　1958年，哈尔滨新生开关厂在试制半导体收音机的同时，开始试制半导体单晶。技术 人员采用四氯化硅锌还原法与四氯化硅氢还原法拉制出多晶硅,其纯度达到99．9％。1959 年10月，技术人员用本厂制造的单晶炉拉制出电阻率为30欧姆·厘米，位错密度为10000个 ／平方厘米的硅单晶。1965年7月，黑龙江半导体材料厂从“黑龙江半导体收音机制造厂” 划出单独成立。当时工厂已能生产直径30毫米、重量30—40克、位错密度小于5000个／平 方厘米的高、中、低阻硅单晶材料。月产量2—3千克。从1965年8月起作为正式产品对外销 售。 　　1970年，黑龙江省革命委员会主要负责人提出要用“大搞群众运动的办法,使单晶硅年 产量达到30吨。在此口号影响下,哈尔滨市部分工厂企业采取“一厂一角”、“大厂办小厂” 的办法进行大会战。由于设备不配套，没有技术力量，高潮过后，大多数单位都半途而废。 只有哈尔滨半导体材料厂制造的1台1千克电阻式单晶炉，拉制出直径45毫米，长600毫米， 重700克的硅单晶。 　　至1975年，哈尔滨半导体材料厂拥有单晶炉10台，多晶炉3台，制氢设备1套,石英精缩 塔3套，累计生产硅单晶300公斤，锗单晶970公斤。后由于社会需要量减少，工厂并入哈尔 滨晶体管厂成为1个车间，单晶材料自产自用。1981年11月1日，由于工厂发生火灾,烧毁厂 房1150平方米和大部分设备仪器,造成经济损失40万元。此后工厂没有恢复半导体材料生产 车间。